PLANCKLAB LITHO MASKLESS
PLANCKLAB 한국 독점 대리점 · 스탠다드 사이언스
Exclusive Distributor in Korea
DMD 기반 마스크리스 포토리소그래피·UV 노광장비
Maskless Photolithography · DMD Pattern Generator
직접배송 · 기본 무료
마스크리스 포토리소그래피 · Maskless Photolithography
LITHO MASKLESS는 디지털 패턴을 UV 광으로 투사하는 마스크리스 리소그래피 장비입니다. 물리적인 포토마스크 없이 포토레지스트 패턴 노광을 수행하며, Easyalign™ 카메라 정렬과 AIUniBeam™ 균일도 보정을 지원합니다. 반도체 소자·마이크로일렉트로닉스 및 표면 미세 패터닝 연구에 필요한 구성을 상담하실 수 있습니다.
LITHO MASKLESS is a DMD-based maskless lithography and UV exposure system. It projects digital image patterns without a physical photomask and supports camera-assisted alignment for photolithography research. Contact Standard Science, the exclusive PLANCKLAB distributor in Korea, for configuration guidance and quotations.
리소그래피(리쏘그래피, Lithography) 중 빛으로 포토레지스트에 패턴을 형성하는 공정을 포토리소그래피(포토리쏘그래피, Photolithography)라고 합니다. 마스크리스 방식은 디지털 패턴을 바꾸어 노광하므로 포토마스크 제작 없이 패턴 설계를 수정할 수 있습니다.
For maskless UV lithography and semiconductor device patterning, specify the photoresist, substrate, target feature size and exposure field. Resolution in micrometres per pixel describes the projected pixel size; the achieved linewidth depends on optics, focus, resist and process conditions.
마스크리스 노광·패턴 정렬 가이드 · Maskless Lithography GuideLITHO MASKLESS
Technical Specifications
| Parameter | Specification |
|---|---|
| Pattern generator | 0.65″ DMD (native 1920 × 1080 px) |
| Exposure intensity | Max. 160 mW/cm² at 20× |
| Light source | UV LED |
| Wavelength | 365 nm / 385 nm / 405 nm |
| Camera | 1/1.8″ CMOS sensor |
| Required ports | USB 2.0, HDMI, USB 3.0* |
| Power | 110 V or 220 V, 60 W |
| Image formats | PNG / BMP / JPG |
| Operating system | Windows 10 or 11 |
| Module dimensions | 165 × 120 × 80 mm |
| Full system dimensions | 600 × 260 × 470 mm |
* USB 3.0 is required for the CMOS camera.
Dimensions are based on the Olympus BX53M configuration.
Objective Lens Specifications
| Objective | Resolution (µm/px) | Max. pattern size (µm) |
|---|---|---|
| 5× (NA 0.15) | 1.52 | 2910 × 1640 |
| 10× (NA 0.30) | 0.76 | 1450 × 820 |
| 20× (NA 0.45) | 0.38 | 730 × 410 |
| 50× (NA 0.75) | 0.15 | 290 × 160 |
| 100× (NA 0.90) | 0.08 | 145 × 80 |
For Olympus MPlanFLN objective lenses. The system is optimized for 20×.
Key Technologies
AIUniBeam™
AI-based beam uniformity compensation using a beam profiler and pixel-level intensity control. The catalog specifies over 98% uniformity.
Easyalign™
A built-in camera overlays simulated patterns on the live substrate view for real-time preview and precise alignment, including multi-layer or structured surfaces.
마스크리스 포토리소그래피 · Maskless Photolithography
LITHO MASKLESS는 디지털 패턴을 UV 광으로 투사하는 마스크리스 리소그래피 장비입니다. 물리적인 포토마스크 없이 포토레지스트 패턴 노광을 수행하며, Easyalign™ 카메라 정렬과 AIUniBeam™ 균일도 보정을 지원합니다. 반도체 소자·마이크로일렉트로닉스 및 표면 미세 패터닝 연구에 필요한 구성을 상담하실 수 있습니다.
LITHO MASKLESS is a DMD-based maskless lithography and UV exposure system. It projects digital image patterns without a physical photomask and supports camera-assisted alignment for photolithography research. Contact Standard Science, the exclusive PLANCKLAB distributor in Korea, for configuration guidance and quotations.
리소그래피(리쏘그래피, Lithography) 중 빛으로 포토레지스트에 패턴을 형성하는 공정을 포토리소그래피(포토리쏘그래피, Photolithography)라고 합니다. 마스크리스 방식은 디지털 패턴을 바꾸어 노광하므로 포토마스크 제작 없이 패턴 설계를 수정할 수 있습니다.
For maskless UV lithography and semiconductor device patterning, specify the photoresist, substrate, target feature size and exposure field. Resolution in micrometres per pixel describes the projected pixel size; the achieved linewidth depends on optics, focus, resist and process conditions.
마스크리스 노광·패턴 정렬 가이드 · Maskless Lithography GuideLITHO MASKLESS
Technical Specifications
| Parameter | Specification |
|---|---|
| Pattern generator | 0.65″ DMD (native 1920 × 1080 px) |
| Exposure intensity | Max. 160 mW/cm² at 20× |
| Light source | UV LED |
| Wavelength | 365 nm / 385 nm / 405 nm |
| Camera | 1/1.8″ CMOS sensor |
| Required ports | USB 2.0, HDMI, USB 3.0* |
| Power | 110 V or 220 V, 60 W |
| Image formats | PNG / BMP / JPG |
| Operating system | Windows 10 or 11 |
| Module dimensions | 165 × 120 × 80 mm |
| Full system dimensions | 600 × 260 × 470 mm |
* USB 3.0 is required for the CMOS camera.
Dimensions are based on the Olympus BX53M configuration.
Objective Lens Specifications
| Objective | Resolution (µm/px) | Max. pattern size (µm) |
|---|---|---|
| 5× (NA 0.15) | 1.52 | 2910 × 1640 |
| 10× (NA 0.30) | 0.76 | 1450 × 820 |
| 20× (NA 0.45) | 0.38 | 730 × 410 |
| 50× (NA 0.75) | 0.15 | 290 × 160 |
| 100× (NA 0.90) | 0.08 | 145 × 80 |
For Olympus MPlanFLN objective lenses. The system is optimized for 20×.
Key Technologies
AIUniBeam™
AI-based beam uniformity compensation using a beam profiler and pixel-level intensity control. The catalog specifies over 98% uniformity.
Easyalign™
A built-in camera overlays simulated patterns on the live substrate view for real-time preview and precise alignment, including multi-layer or structured surfaces.
